high-electron-mobility transistors
基本解释
- [电子、通信与自动控制技术]高电子迁移率场效应晶体管
英汉例句
- Transport properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are crucial to metamorphic high-electron-mobility transistors (MM-HEMT).
在变缓冲层高迁移率晶体管(MM_HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用。
双语例句
专业释义
- 高电子迁移率场效应晶体管